英诺赛科(珠海)科技有限公司孙涛获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利半导体结构及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222674844U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420552502.4，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型半导体结构及电子设备是由孙涛设计研发完成，并于2024-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及电子设备。其中，半导体结构包括相邻且交替顺序排布的第一类型区与第二类型区。所述半导体结构还包括：沟道层、势垒层、第一电极、第二电极与栅极。所述势垒层位于所述沟道层上。所述栅极都位于所述势垒层背向所述沟道层的一侧。所述第一电极与所述第二电极位于所述栅极相对的两侧，且与所述沟道层相接触，并沿所述沟道层指向所述势垒层的方向延伸出所述势垒层。所述第一电极、所述栅极、所述势垒层及所述沟道层位于所述第一类型区与所述第二类型区的部分之间互相区隔。所述第一电极与所述栅极位于同一所述第一类型区的部分互相电连接。
本实用新型半导体结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括相邻且交替顺序排布的第一类型区与第二类型区；所述半导体结构还包括：沟道层、势垒层、第一电极、第二电极与栅极；所述势垒层位于所述沟道层上；所述栅极都位于所述势垒层背向所述沟道层的一侧；所述第一电极与所述第二电极位于所述栅极相对的两侧，且与所述沟道层相接触，并沿所述沟道层指向所述势垒层的方向延伸出所述势垒层；所述第一电极、所述栅极、所述势垒层及所述沟道层位于所述第一类型区与所述第二类型区的部分之间互相区隔；所述第一电极与所述栅极位于同一所述第一类型区的部分互相电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(珠海)科技有限公司，其通讯地址为：519080 广东省珠海市高新区金园二路39号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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