英诺赛科(苏州)半导体有限公司孙涛获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222674845U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420552826.8，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型半导体器件是由孙涛;张帅;冯家驹设计研发完成，并于2024-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层与栅极结构。所述沟道层设置于衬底，所述沟道层包括氮化物半导体材料。所述势垒层设置于所述沟道层远离所述衬底的一侧，所述势垒层包括氮化物半导体材料，并且所述势垒层的能隙大于所述沟道层的能隙。所述栅极结构包括帽层、栅极以及刻蚀插入层，所述帽层包括氮化物半导体材料并设置于所述势垒层远离所述沟道层的一侧，所述栅极设置于所述帽层远离所述势垒层的一侧，所述刻蚀插入层设置于所述栅极与所述帽层之间。其中，所述栅极包括第一侧壁，所述第一侧壁邻接所述刻蚀插入层处设置有第一倒角；所述刻蚀插入层包括第二侧壁，所述第二侧壁设置有第二倒角。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，所述沟道层设置于所述衬底，所述沟道层包括氮化物半导体材料；势垒层，所述势垒层设置于所述沟道层远离所述衬底的一侧，所述势垒层包括氮化物半导体材料，并且所述势垒层的能隙大于所述沟道层的能隙；栅极结构，所述栅极结构包括帽层、栅极以及刻蚀插入层，所述帽层包括氮化物半导体材料并设置于所述势垒层远离所述沟道层的一侧，所述栅极设置于所述帽层远离所述势垒层的一侧，所述刻蚀插入层设置于所述栅极与所述帽层之间；其中，所述栅极包括第一侧壁，所述第一侧壁邻接所述刻蚀插入层处设置有第一倒角；所述刻蚀插入层包括第二侧壁，所述第二侧壁设置有第二倒角。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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