英诺赛科(苏州)半导体有限公司周绍珂获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利半导体结构和半导体器件以及电子器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222674849U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420547979.3，技术领域涉及：H10D64/20；该实用新型半导体结构和半导体器件以及电子器件是由周绍珂;余仁旭;李庆设计研发完成，并于2024-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和半导体器件以及电子器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种半导体结构和半导体器件以及电子器件，所述半导体结构包括：钝化层；势垒层，所述势垒层设置于所述钝化层的一侧；沟道层，所述沟道层设置于所述势垒层背离所述钝化层的一侧；电极槽，所述电极槽自所述钝化层延伸至所述沟道层。由于本申请的电极槽直接刻蚀至沟道层，因此沉积于电极槽内的欧姆金属无需穿过势垒层即可与沟道层直接接触，因此减小了电压损耗。此外由于无需将淀积后的欧姆金属进行热过程扩散到沟道层，因此在退火工序中无需过高的温度进行退火处理。综上，本申请公开的结构可以在减小电压损耗的同时减小在退火工序中的高温需求。
本实用新型半导体结构和半导体器件以及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：钝化层；势垒层，所述势垒层设置于所述钝化层的一侧；沟道层，所述沟道层设置于所述势垒层背离所述钝化层的一侧；电极槽，所述电极槽自所述钝化层延伸至所述沟道层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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