淄博汉林半导体有限公司迟晓丽获国家专利权
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龙图腾网获悉淄博汉林半导体有限公司申请的专利一种碳化硅基芯片漏源电极制造用金属溅射装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222665982U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420526493.1，技术领域涉及：C23C14/35；该实用新型一种碳化硅基芯片漏源电极制造用金属溅射装置是由迟晓丽;关仕汉;薛涛设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅基芯片漏源电极制造用金属溅射装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种碳化硅基芯片漏源电极制造用金属溅射装置，包括基座，所述基座的上表面固定连接有真空室，所述真空室的上表面固定连接有射频电源，所述真空室的上表面固定连通有水冷套管，所述水冷套管的底面固定连接有背板，所述背板的底面固定连接有靶材，所述真空室的底面固定连接有驱动电机，所述驱动电机的输出端固定连接有旋转轴，所述旋转轴的外表面固定连接有轴承座，所述旋转轴的上表面固定连接有夹持器。本装置通过使基底旋转，可以减少沉积膜厚度的差异，提高薄膜厚度的均匀性，当磁控溅射枪固定时，旋转的基底可以使基底表面更均匀地沉积金属薄膜，这有助于减少薄膜中的缺陷、夹杂物和非均匀性。
本实用新型一种碳化硅基芯片漏源电极制造用金属溅射装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅基芯片漏源电极制造用金属溅射装置，包括基座1，其特征在于：所述基座1的上表面固定连接有真空室2，所述真空室2的上表面固定连接有射频电源4，所述真空室2的上表面固定连通有水冷套管7，所述水冷套管7的底面固定连接有背板23，所述背板23的底面固定连接有靶材24，所述真空室2的底面固定连接有驱动电机25，所述驱动电机25的输出端固定连接有旋转轴26，所述旋转轴26的外表面固定连接有轴承座27，所述旋转轴26的上表面固定连接有夹持器15，所述夹持器15的上表面开设有两个滑槽16，两个所述滑槽16的内壁均滑动连接有两个电动滑块18，每个所述电动滑块18相互靠近的一侧面共同固定连接有两个夹板17，所述真空室2内壁的顶端固定连接有法兰盘21，所述法兰盘21的底面固定连接有磁铁22，所述夹持器15的上表面固定连接有基底20。
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