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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种半导体材料生产用复合基底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118371415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410261848.3，技术领域涉及：B05D7/24；该发明授权一种半导体材料生产用复合基底及其制备方法是由王丽焕;冯翔宇;徐现刚设计研发完成，并于2024-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体材料生产用复合基底及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体材料生产用复合基底及其制备方法，包括如下步骤：将基底材料清洗后，在氮气氛围中干燥；采用料浆烧结法在基底材料表面制备多孔碳化物涂层；将多孔碳化物涂层清洗干净，在氮气条件下干燥；向五氯化钽溶液中逐滴加入溶剂，同时加入添加剂，搅拌反应，使溶液凝胶化，在20‑30℃陈化12‑24h；所述添加剂选自乙酰丙酮、聚乙烯醇、乙二酸、二甲基甲酰胺中的一种或几种的混合物；将溶液中的钽溶胶分离，将制备有多孔碳化物涂层的基底在钽溶胶中浸渍后提拉，在基底表面镀膜；将镀膜的基底干燥后，在1800‑2200℃下真空高温烧结12‑48h，即得复合基体。

本发明授权一种半导体材料生产用复合基底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料生产用复合基底的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将基底材料清洗后，在氮气氛围中干燥；采用料浆烧结法在基底材料表面制备多孔碳化物涂层；将多孔碳化物涂层清洗干净，在氮气条件下干燥；向五氯化钽溶液中逐滴加入溶剂，同时加入添加剂，搅拌反应，使溶液凝胶化，在20-30℃陈化12-24h；所述添加剂选自乙酰丙酮、聚乙烯醇、乙二酸、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺中的一种或几种的混合物；将溶液中的钽溶胶分离，将制备有多孔碳化物涂层的基底在钽溶胶中浸渍2-10min后提拉，在基底表面镀膜；将镀膜的基底干燥后，在1800-2200℃下真空高温烧结12-48h，即得复合基体；料浆烧结法制备多孔碳化物涂层的方法为：将由碳化物颗粒、烧结助剂、粘结剂和溶剂混合形成的悬浊液，或，金属单质、碳粉、烧结助剂、粘结剂和溶剂混合形成的悬浊液，均匀涂覆于基底表面；干燥后，在1100-2500℃真空烧结2-48h，即得；制备得到的钽溶胶的粒径为纳米级别，多孔碳化物涂层的颗粒为微米级别，形成的密堆积空隙为微米级或亚微米级；混合缓冲层也是致密结构。

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