中国科学院半导体研究所赵超获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利材料生长阶段的确定方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118155766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410254220.0，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权材料生长阶段的确定方法及装置是由赵超;沈超;占文康;徐波;王占国设计研发完成，并于2024-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本材料生长阶段的确定方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提出一种材料生长阶段的确定方法及装置，其中，方法包括：在材料生产过程中，获取材料当前时刻的分析图，并确定分析图的特征向量，之后，将特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取聚类算法输出的特征向量所属的分析图集合，并将分析图集合对应的标注生长阶段，确定为材料当前时刻所处的生长阶段，其中，聚类算法为基于无监督的训练方式获取的，分析图集合为基于历史分析图训练聚类算法时将历史分析图分类获取的，分析图集合对应的标注生长阶段为基于分析图集合包含的各分析图中的材料生长状态确定的。从而提高了确定材料生长阶段的准确性。
本发明授权材料生长阶段的确定方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种材料生长阶段的确定方法，其特征在于，包括：在材料生产过程中，获取所述材料当前时刻的分析图，并确定所述分析图的特征向量；将所述特征向量输入预先训练好的聚类算法，获取所述聚类算法输出的所述特征向量所属的分析图集合，并将所述分析图集合对应的标注生长阶段，确定为所述材料当前时刻所处的生长阶段；其中，所述聚类算法为基于无监督的训练方式获取的，所述分析图集合为基于历史分析图训练所述聚类算法时将所述历史分析图分类获取的，所述分析图集合对应的标注生长阶段为基于所述分析图集合包含的各分析图中的材料生长状态确定的；所述确定所述分析图的特征向量，包括：将所述分析图及在所述分析图之前采集的多张分析图对应的多通道数据进行组合生成高维向量；提取所述高维向量中的关键向量；基于所述关键向量生成所述分析图的特征向量。
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