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龙图腾网获悉北京大学申请的专利半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855144B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311694452.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备是由吴恒;孙嘉诚;卢浩然;王润声;黄如设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。

本发明授权半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的源漏互连方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上形成有源结构，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于所述第一有源结构，形成第一半导体结构；基于所述第二有源结构，形成第二半导体结构；所述第一半导体结构和所述第一半导体结构在垂直于沟道的方向上自对准；对所述第一半导体结构的第一栅极结构和所述第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至所述栅极切断结构的光刻区域，对所述第一半导体结构的第一层间介质层和所述第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在所述第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构；所述互连通孔结构连接所述第一半导体结构中的第一源漏金属和所述第二半导体结构中的第二源漏金属；其中，所述基于自对准至所述栅极切断结构的光刻区域，对所述第一半导体结构的第一层间介质层和所述第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽，包括：从所述第二层间介质层的顶部，沿着所述栅极切断结构的边缘以及所述第二半导体结构的第二源漏结构的边缘向下刻蚀所述第二层间介质层和所述第一层间介质层，直至暴露所述第一源漏金属，停止刻蚀，以形成所述第一深槽。

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