恭喜中国科学院兰州化学物理研究所张广安获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种挠性覆铜板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115948712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211645091.5，技术领域涉及：C23C14/20；该发明授权一种挠性覆铜板的制备方法是由张广安;王福;张斌;尚伦霖设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种挠性覆铜板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及挠性覆铜板技术领域，尤其涉及一种挠性覆铜板的制备方法。本发明提供了一种挠性覆铜板的制备方法，包括以下步骤：采用高能量非金属离子束，对聚合物薄膜的表面进行刻蚀活化，得到活化后的聚合物薄膜；采用磁控溅射，在所述活化后的聚合物薄膜的表面注入金属离子，得到聚合物‑金属互穿网络结构界面；在所述聚合物‑金属互穿网络结构界面沉积铜薄膜，在沉积铜薄膜的同时，采用间歇性Ar+轰击所述铜薄膜。所述制备方法可以显著提高挠性覆铜板表层铜薄膜与聚合物基材之间的剥离强度。
本发明授权一种挠性覆铜板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种挠性覆铜板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用高能量非金属离子束，对聚合物薄膜的表面进行刻蚀活化，得到活化后的聚合物薄膜；采用磁控溅射，在所述活化后的聚合物薄膜的表面注入金属离子，得到聚合物-金属互穿网络结构界面；在所述聚合物-金属互穿网络结构界面沉积铜薄膜，在沉积铜薄膜的同时，采用间歇性Ar+轰击所述铜薄膜，得到所述挠性覆铜板；所述高能量非金属离子束为Ar++N+；所述Ar++N+由Ar+N2产生的等离子体，所述Ar和N2的流量分别为80sccm和20sccm；所述刻蚀活化的偏置电压为-200～-250V，时间为5～20min；所述间歇性Ar+轰击的条件为：Ar流量为30～60sccm，基材偏置电压为-120～-200V，溅射气压为0.05～0.2Pa，每间隔5～10min进行一次离子轰击，每次离子轰击的时间为3～5min。
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