恭喜浙江大学陈安哲获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种兴奋-抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115605021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211266716.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种兴奋-抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法是由陈安哲;俞滨;张亦舒;李菡茜;胡加杨设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种兴奋-抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件领域，特别涉及了一种兴奋‑抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法。本发明使用金属‑栅极电介质‑惰性电极构成易失性忆阻器，将易失性忆阻器和场效应管通过惰性电极耦合在一起，可以低成本的完成兴奋‑抑制神经形态晶体管器件的构建，总体形成一个结构紧凑的、可用于同时接受兴奋、抑制输入调控功能的兴奋‑抑制神经形态晶体管。本发明还包括具有多个漏极的兴奋‑抑制神经形态晶体管，可实现同时接受多端兴奋性刺激输入的调控。本发明所涉及的沟道层与惰性电极分别采用二维材料，实现对器件尺寸的极限缩微，使得兴奋‑抑制神经形态晶体管结构紧凑，具有强缩微性，同时降低器件的功耗。
本发明授权一种兴奋-抑制神经形态晶体管、制作方法及工作方法在权利要求书中公布了：1.一种兴奋-抑制神经形态晶体管，其特征在于，包括：衬底、沟道层、惰性电极、栅极电介质层、源极、漏极、栅极；所述衬底表面具有沟道层，所述沟道层两侧的衬底表面分别具有惰性电极和源极，所述惰性电极的一部分和源极的一部分叠加在所述沟道层表面，暴露出的所述沟道层表面、惰性电极表面具有栅极电介质层，所述栅极电介质层表面具有栅极和漏极，所述漏极位于所述惰性电极的正上方，所述栅极位于所述沟道层的正上方，且所述栅极位于所述源极和漏极之间；所述源极、栅极和所述惰性电极构成场效应管，所述漏极、惰性电极和两者之间的所述栅极电介质层构成易失性忆阻器，所述易失性忆阻器与所述场效应管通过所述惰性电极耦合在一起。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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