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龙图腾网恭喜昕原半导体(上海)有限公司申请的专利改变两端电阻切换装置的切换层中的氮含量获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115142032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111204375.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权改变两端电阻切换装置的切换层中的氮含量是由孙达尔·纳拉亚南;王韫宇;顾震;甘为辰;李伟提;杨协森设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本改变两端电阻切换装置的切换层中的氮含量在说明书摘要公布了：两端电阻切换装置可以具有切换层，其中细丝形成并变形为不同程度以表示不同的逻辑状态。该切换层可以形成为在切换层的不同层处具有氮与硅的变化的比例X。这可以导致具有改进的稳定性和其他特性的两端存储器装置。切换层可以在真空室中形成，其中气体混合物具有在制造期间变化的氮气与氩气的比例Y。

本发明授权改变两端电阻切换装置的切换层中的氮含量在权利要求书中公布了：1.一种两端存储器装置，所述装置包括：第一电极，所述第一电极位于所述两端存储器装置的第一区域中；第二电极，所述第二电极位于所述两端存储器装置的第二区域中；所述第一电极是底部电极并且所述第二电极是顶部电极，以及电阻切换层，所述电阻切换层具有与所述第一区域邻近的第一部分和与所述第二区域邻近的第二部分，其中，所述电阻切换层包含氮和硅并且具有比例X，所述比例X被表征为NSi，所述比例X根据确定的差异在所述第一部分与所述第二部分之间变化；其中，所述确定的差异由梯度函数或离散子层函数表示，当所述确定的差异由梯度函数表示时，所述梯度函数使在所述电阻切换层的一位置处的所述比例X根据所述位置的高度变化而增大或减小；当所述确定的差异由离散子层函数表示时，所述电阻切换层包括多个子层，所述离散子层函数通过针对所述多个子层中的各个子层的离散量而使所述比例X增大或减小；其中，X在所述第一部分与所述第二部分之间在0至1.33之间的范围内变化；其中，所述第一部分具有第一比例X1，所述第一比例X1等于0，且所述第一部分完全由Si构成；并且所述第二部分具有第二比例X2，所述第二比例X2等于1.33，且所述第二部分完全由化学计量的氮化硅构成。

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