恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张丰愿获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113658944B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110690696.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权半导体封装件及其形成方法是由张丰愿;黄博祥;鲁立忠;李志纯;卢以谦;陈又豪;张克正设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件及其形成方法在说明书摘要公布了：半导体封装件包括第一封装组件，该第一封装组件包括：第一半导体管芯；第一密封剂，位于第一半导体管芯周围；以及第一再分布结构，电连接至第一半导体管芯。半导体封装件还包括接合至第一封装组件的第二封装组件，其中，第二封装组件包括：第二半导体管芯；散热器，位于第一半导体管芯和第二封装组件之间；以及第二密封剂，位于第一封装组件和第二封装组件之间，其中，第二密封剂具有比散热器低的热导率。本申请的实施例还涉及形成半导体封装件的方法。
本发明授权半导体封装件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括：第一封装组件，包括：第一半导体管芯；第一密封剂，位于所述第一半导体管芯周围；第一再分布结构，电连接至所述第一半导体管芯；以及接触焊盘，位于所述第一密封剂与所述第一再分布结构相对的表面上；第二封装组件，接合至所述第一封装组件，其中，所述第二封装组件包括第二半导体管芯，其中，所述第二封装组件直接接合至所述接触焊盘；散热器，位于所述第一半导体管芯和所述第二封装组件之间，其中，所述散热器通过膜附接至所述第一半导体管芯的半导体衬底；以及第二密封剂，位于所述第一封装组件和所述第二封装组件之间，其中，所述第二密封剂具有比所述散热器低的热导率，其中，所述第一半导体管芯的半导体衬底与所述膜之间的界面与所述接触焊盘和所述第一密封剂之间的界面齐平。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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