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龙图腾网恭喜中锗科技有限公司申请的专利一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112986633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110437117.6，技术领域涉及：G01R1/067；该发明授权一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法是由周锐;柯尊斌;王卿伟;郭友林设计研发完成，并于2021-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法，用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，包括探头本体、测试样片和数据线；探头本体一端为样品端、另一端为出线端，探头本体的样品端设有方形凹槽；数据线一端分支为四根控制线、分别位于方形凹槽内的四角处，数据线的另一端从探头本体的出线端穿出；测试样片位于方形凹槽内；四根控制线的端部分别连接有铂铑丝、作为导体连接线端，导体连接线端与测试样片焊接。本申请可获得晶棒准确的电性能参数，为晶片分级、客户分类及技术调整提供有力的参考依据，有效防止了因电性能参数问题而导致的客户退货问题。

本发明授权一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种具有磁场旋转调节功能的电性能测试装置，与用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头配套使用，其特征在于：包括第一铜线圈、第二铜线圈、连接轴、禁锢旋转盖和位置调节环；第一铜线圈和第二铜线圈的两端均分别设有内挡环和外挡环；第一铜线圈和第二铜线圈均螺纹连接在连接轴上，第一铜线圈的内挡环和第二铜线圈的内挡环相邻、且间隔大于零，连接轴的两端分别超出第一铜线圈的外挡环和第二铜线圈的外挡环；第一铜线圈的内挡环上设有探头插槽；禁锢旋转盖螺纹连接在第一铜线圈外挡环一端的连接轴上；位置调节环位于连接轴外围、且连接在第二铜线圈的外挡环上；用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，包括探头本体、测试样片和数据线；探头本体一端为样品端、另一端为出线端，探头本体的样品端设有方形凹槽；数据线一端分支为四根控制线、分别位于方形凹槽内的四角处，数据线的另一端从探头本体的出线端穿出；测试样片位于方形凹槽内；四根控制线的端部分别连接有铂铑丝、作为导体连接线端，导体连接线端与测试样片焊接。

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