恭喜伟摩有限责任公司C.奥纳尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜伟摩有限责任公司申请的专利单片硅光电倍增器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114424347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080065868.3，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权单片硅光电倍增器阵列是由C.奥纳尔;P-Y.德罗兹;N.达里亚设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本单片硅光电倍增器阵列在说明书摘要公布了：一种光学系统，可以包括衬底和与衬底单片地集成的多个硅光电倍增器SiPM。每个SiPM可以包括多个单光子雪崩二极管SPAD。该光学系统还包括具有多个光圈的光圈阵列。多个SiPM和光圈阵列被对准，以便限定多个接收器通道。每个接收器通道包括光学耦合到多个光圈中的相应光圈的多个SiPM中的相应SiPM。
本发明授权单片硅光电倍增器阵列在权利要求书中公布了：1.一种光学系统，包括：衬底；多个硅光电倍增器SiPM，与所述衬底单片地集成，其中，每个SiPM包括多个单光子雪崩二极管SPAD；光圈阵列，包括多个光圈，其中，多个SiPM与光圈阵列被对准以便限定多个接收器通道，其中，每个接收器通道包括光学耦合到多个光圈中的相应光圈的多个SiPM中的相应SiPM；以及挡板结构，其中，所述挡板结构包括光学不透明材料中的多个开口，其中，所述挡板结构配置成在光圈阵列和所述多个SiPM之间物理地耦合到所述光圈阵列，使得每个接收器通道包括经由所述挡板结构中的相应开口光学耦合到所述多个光圈中的相应光圈的所述多个SiPM中的相应SiPM。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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