恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈彦豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体元件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010788008.4，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权制造半导体元件的方法是由陈彦豪;赖韦翰;张庆裕;林进祥设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体元件的方法在说明书摘要公布了：本文揭示一种制造半导体元件的方法。方法包括在基板的经图案化表面上形成第一平坦化材料的第一层，在第一平坦化层上形成第二平坦化材料的第二层，交联第一平坦化材料的一部分及第二平坦化材料的一部分，并移除第二平坦化材料中未经交联的一部分。在一实施例中，方法进一步包括在移除第二平坦化材料中未经交联的部分之后，在第二平坦化材料上形成第三平坦化材料的第三层。第三平坦化材料可包括底部抗反射涂膜或旋涂碳，及酸或酸产生剂。第一平坦化材料可包括旋涂碳及酸、热酸产生剂或光酸产生剂。
本发明授权制造半导体元件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：在基板的经图案化表面上形成第一平坦化材料的第一层；交联该第一平坦化材料的一部分；在该第一平坦化材料的该第一层上形成第二平坦化材料的第二层；交联该第二平坦化材料的一部分；以及移除该第二平坦化材料中未经交联的一部分。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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