恭喜深圳市瀚强科技股份有限公司吴峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市瀚强科技股份有限公司申请的专利一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111653562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010605615.2，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管是由吴峰;杨小春设计研发完成，并于2020-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管，由金氧半场效晶体管、达林顿功率管和碳化硅二极管封装而成。碳化硅二极管几乎没有反向恢复时间，可以将电路的损耗降到最低，以解决现有的中大功率电源电路转换效率低的技术问题，适用于高效率的PFC电路，具有极高的经济价值，可应用100KHz以下的频率，拓宽了应用范围与应用场景。
本发明授权一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管，应用于PFC电路，其特征在于，由金氧半场效晶体管、达林顿功率管和碳化硅二极管封装而成，所述金氧半场效晶体管为N沟道金氧半场效晶体管；所述金氧半场效晶体管的漏极与所述达林顿功率管的基极连接，所述金氧半场效晶体管的源极与所述达林顿功率管的发射极连接；所述碳化硅二极管的阴极与所述达林顿功率管的集电极连接，所述碳化硅二极管的阳极与所述达林顿功率管的发射极连接；所述达林顿功率管的集电极与输入端子连接，所述达林顿功率管的发射极与输出端子连接；当在所述金氧半场效晶体管的栅极施加电压时，所述达林顿功率管导通，电流从所述输入端子经过所述达林顿功率管流向所述输出端子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市瀚强科技股份有限公司，其通讯地址为：518055 广东省深圳市南山区桃源街道长源社区学苑大道1001号南山智园D1栋1101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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