恭喜高通股份有限公司S·N·莫汉蒂获国家专利权
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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利峰值电流降低的存储器核心加电获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113939874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080040751.X，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权峰值电流降低的存储器核心加电是由S·N·莫汉蒂;R·萨胡;C·德塞设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本峰值电流降低的存储器核心加电在说明书摘要公布了：一种存储器具有多个核心，该多个核心根据从第一核心到最终核心的加电次序加电。在当前核心的核心电源电压根据加电次序加电时，响应于核心电源电压超过后继核心中的控制晶体管的阈值电压，触发加电次序中的后继核心的加电。
本发明授权峰值电流降低的存储器核心加电在权利要求书中公布了：1.一种存储器，包括：外部电源轨；第一核心电源轨，被配置为向第一多个位单元提供功率；第一功率开关晶体管，耦合在所述第一核心电源轨与所述外部电源轨之间；第一控制晶体管，被配置为响应于控制信号而接通，其中所述第一功率开关晶体管被配置为响应于所述第一控制晶体管的所述接通而接通；第二核心电源轨，被配置为向第二多个位单元提供功率；第二功率开关晶体管，耦合在所述第二核心电源轨与所述外部电源轨之间；第一反相器，被配置为使睡眠信号反相并且驱动所述第二功率开关晶体管；以及第二控制晶体管，具有连接到地的源极、连接到所述第一反相器的漏极和连接到所述第一核心电源轨的栅极，其中所述第二功率开关晶体管被配置为响应于所述第二控制晶体管的接通和对电源电压的睡眠信号的断言而接通，并且被配置为响应于所述第二控制晶体管的接通和对地的睡眠信号的放电而关断。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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