恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘继全获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910888564.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件的形成方法是由刘继全设计研发完成，并于2019-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的形成方法，其形成方法包括：提供基底，在基底上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成金属间介质层；刻蚀金属间介质层，在金属间介质层内形成通孔，通孔的底部暴露出刻蚀停止层的表面；对通孔底部的刻蚀停止层进行表面处理。本发明对通孔底部暴露出的刻蚀停止层进行表面处理，改变通孔暴露出的刻蚀停止层的材料性质，使得通孔底部暴露出的刻蚀停止层的刻蚀速率发生改变，后续沿着通孔侧壁继续刻蚀通孔底部的刻蚀停止层的时候，未暴露出的刻蚀停止层不会遭到刻蚀的作用，刻蚀工艺就停止在需要刻蚀的暴露出的刻蚀停止层上，从而使得形成的半导体器件的性能和质量得到提高。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成金属间介质层；刻蚀所述金属间介质层，在所述金属间介质层内形成通孔，所述通孔的底部暴露出所述刻蚀停止层的表面；对所述通孔底部的所述刻蚀停止层进行表面处理，所述通孔的底部暴露出的所述刻蚀停止层的刻蚀速率与未暴露的所述刻蚀停止层的刻蚀速率的比值为5:1~20:1；采用湿法刻蚀工艺去除经过表面处理后的所述刻蚀停止层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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