买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510019409.6，技术领域涉及：G11C11/4097；该发明授权自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM是由蔺智挺;龙淼;戴成虎;李鑫;周永亮;彭春雨;李志刚;吴秀龙;胡薇;卢文娟设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM在说明书摘要公布了：本申请涉及一种自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM，其中，该电路结构包括：第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与所述第一位线连接，所述第二反相器的输入端与所述第二位线连接；第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一位线连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接，所述第二NMOS管的漏极与所述第二位线连接，所述第二NMOS管的源极接地。解决了目前存储阵列外围的写辅助电路会增加SRAM的电路布局难度以及大幅增加电路面积占用的问题。

本发明授权自启动位单元SRAM写辅助的电路结构、存储阵列和SRAM在权利要求书中公布了：1.一种自启动位单元SRAM写辅助的电路结构，应用于SRAM的存储阵列，存储阵列包括第一位线、第二位线和多个存储单元，存储单元通过第一位线和第二位线实现数据写入，其特征在于，电路结构用于对第一位线和第二位线进行放电且包括：第一反相器和第二反相器，第一反相器的输入端与第一位线连接，第二反相器的输入端与第二位线连接；第一NMOS管和第二NMOS管，第一NMOS管的栅极与第一反相器的输出端连接，第一NMOS管的漏极与第一位线连接，第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的栅极与第二反相器的输出端连接，第二NMOS管的漏极与第二位线连接，第二NMOS管的源极接地；第一反相器包括第一PMOS管和第三NMOS管，第一PMOS管的源极接控制字线，第三NMOS管的源极接地，第一PMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极连接并构成第一反相器的输入端，第一PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极连接并构成第一反相器的输出端；第二反相器包括第二PMOS管和第四NMOS管，第二PMOS管的源极接控制字线，第四NMOS管的源极接地，第二PMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极连接并构成第二反相器的输入端，第二PMOS管的漏极与第四NMOS管的漏极连接并构成第二反相器的输出端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经开区九龙路111号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。