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龙图腾网恭喜上海岸鼎智能科技有限公司;声默(上海)科技有限公司申请的专利先进电容纳米机电芯片第二代强力单元与反推力系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119472450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510018334.X，技术领域涉及：G05B19/042；该发明授权先进电容纳米机电芯片第二代强力单元与反推力系统是由洪波设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本先进电容纳米机电芯片第二代强力单元与反推力系统在说明书摘要公布了：本申请涉及纳机电（NEMS）的技术领域，公开一种先进电容纳米机电芯片第二代强力单元与反推力系统，包括侧面支柱、振膜和衬底，振膜固定于侧面支柱上；侧面支柱固定于衬底上；振膜位于衬底上方，且振膜和衬底之间设置有空腔；振膜的下方位于空腔内依次设置有第一振膜托结构和第二振膜托结构，用于支撑振膜。在振膜下方增加2层振膜托结构，从而增加了2个弹性力，即通过5力平衡，3个向上的弹性力和1个向下的静电力，以及1个重力，提高空间利用率CU。通过纳米机电芯片（CNUT）解决在传播介质中大声压收发超声的问题，本质是解决了高发射电压和超过结构设计极限的矛盾问题。

本发明授权先进电容纳米机电芯片第二代强力单元与反推力系统在权利要求书中公布了：1.一种先进电容纳米机电芯片第二代强力单元，其特征在于，包括侧面支柱、振膜和衬底，所述振膜固定于所述侧面支柱上；所述侧面支柱固定于所述衬底上；所述振膜位于所述衬底上方，且所述振膜和所述衬底之间设置有空腔；所述振膜的下方位于所述空腔内依次设置有第一振膜托结构和第二振膜托结构，用于支撑所述振膜，第一振膜托结构和第二振膜托结构固定于所述侧面支柱上；所述第一振膜托结构位于所述振膜的下方，所述第二振膜托结构位于所述第一振膜托结构远离所述振膜的一侧；所述第二振膜托结构位于所述第一振膜托结构的下方；在所述振膜和所述衬底之间施加电压，CU的值的范围：36.5%-76%，其中，CU的值的范围为36.5%~70%时，归一化电压与归一化间距呈正线性增长；CU的值为振膜运动到最深位置的位移与空腔的深度之比，代表了振膜运动对占用空腔的利用率。

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