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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利一种不含B的常压烧结高纯SiC及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119390452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000140.7，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种不含B的常压烧结高纯SiC及应用是由李杨;张文龙;肖鹏设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不含B的常压烧结高纯SiC及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种不含B的常压烧结高纯SiC陶瓷材料及应用，属于高纯致密陶瓷开发技术领域。本发明以α‑SiC粉体、β‑SiC粉体为原料，将原料粉末加入到改性液中，搅拌均匀后，干燥，然后压制成形并在保护气氛下烧结，得到高纯SiC陶瓷；所述改性液中含有烧结助剂，所述烧结助剂为硅碳原子比0.95~1.05的高分子聚合物；其用量为原料粉末质量的8~25%；在保护气氛下烧结的温度为1700~2200℃；所得高纯SiC陶瓷中SiC的质量百分含量大于等于99.9%。所得高纯SiC陶瓷用在半导体领域。本发明工艺简单、可控，所得产品性能优良，便于工业化应用，本发明所得产品可广泛应用于半导体领域。

本发明授权一种不含B的常压烧结高纯SiC及应用在权利要求书中公布了：1.一种不含B的常压烧结高纯SiC陶瓷材料，其特征在于：以α-SiC粉体、β-SiC粉体为原料，将原料粉末加入到改性液中，搅拌均匀后，干燥，然后压制成形并在保护气氛下烧结，得到高纯SiC陶瓷；所述改性液中含有烧结助剂，所述烧结助剂为硅碳原子比0.95~1.05的高分子聚合物；在保护气氛下烧结的温度为1700~2200℃，烧结助剂选自聚碳硅烷、聚甲基硅烷、聚硅氧烷、聚硅氮烷中的至少一种；所用α-SiC粉体、β-SiC粉体的质量比为，α-SiC粉体：β-SiC粉=50-95：5-50，α-SiC粉体的用量大于β-SiC粉的用量；α-SiC粉体的纯度≥99.99%，粒径在20-120μm；β-SiC粉体的纯度≥99.99%，粒径在10-20μm；所用α-SiC粉体的粒径大于所用β-SiC粉体的粒径；所述改性液中所加入的烧结助剂为所用原料质量的8~25wt%。

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