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龙图腾网恭喜河北同光半导体股份有限公司申请的专利一种改善激光剥离表面粗糙度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119304375B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411845414.4，技术领域涉及：B23K26/36；该发明授权一种改善激光剥离表面粗糙度的方法是由李永超;郑向光;刘凯辉;崔景光设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善激光剥离表面粗糙度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种改善激光剥离表面粗糙度的方法，属于激光切割技术领域，所述改善激光剥离表面粗糙度的方法包括：S10：测量待加工晶圆表面的偏角θ，并确定待加工晶圆表面的法线；S20：取一晶圆样品，该晶圆样品的材质与待加工晶圆的材质相同，用激光剥离器在晶圆样品上击打，确定该激光剥离器的光斑直径A；S30：计算扫描间距B：B=Atanθ；S40：确定待加工晶圆表面的法线在XY面上的投影线，调整激光剥离器中激光的出射方向与投影线垂直，并在扫描间距B的条件下对待加工晶圆的表面进行剥离。本发明提供的改善激光剥离表面粗糙度的方法将晶圆的偏角考虑到激光剥离中参数的设定上，提高剥离的效率。

本发明授权一种改善激光剥离表面粗糙度的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善激光剥离表面粗糙度的方法，其特征在于，包括：S10：测量待加工晶圆表面的偏角θ，并确定待加工晶圆表面的法线；S20：取一晶圆样品，该晶圆样品的材质与待加工晶圆的材质相同，用激光剥离器在晶圆样品上击打，确定该激光剥离器的光斑直径A；S30：计算扫描间距B：B=Atanθ；S40：确定待加工晶圆表面的法线在XY面上的投影线，调整激光剥离器中激光的出射方向与投影线垂直，并在扫描间距B的条件下对待加工晶圆的表面进行剥离；所述S10步骤包括：S11：测量待加工晶圆在X轴方向上的0001面的角度α；S12：测量待加工晶圆在Y轴方向上的0001面的角度β；S13：通过公式计算待加工晶圆表面的偏角θ：（tanα）2+（tanβ）2=（tanθ）2；S14：通过公式计算投影线与X轴的夹角φ：tanφ=tanβtanα；将待加工晶圆放置在可旋转的载物台上，S11步骤测量完毕后，将载物台旋转90°进行S12步骤的测量；载物台的外周设有第一定位点和第二定位点，待加工晶圆的外周设有定位边，第一定位点和定位边的中点连线过待加工晶圆的圆心。

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