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龙图腾网恭喜四川大学申请的专利一种太赫兹频段高介电、低损耗复合材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119286139B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411825891.4，技术领域涉及：C08L23/12；该发明授权一种太赫兹频段高介电、低损耗复合材料及制备方法是由施奇武;高成喆;黄刚;冷晋;谢朋书;田舒鹏;邓华设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太赫兹频段高介电、低损耗复合材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于高介电复合材料技术领域，提供了一种太赫兹频段高介电、低损耗复合材料及制备方法，该复合材料包括第一复合母粒材料；第一复合母粒材料的原料由改性第一填料、改性第一绝缘材料及非极性聚合物组成；第二复合母粒材料；第二复合母粒材料的原料由改性第二填料、改性第二绝缘材料及非极性聚合物组成；以及非极性聚合物基体；其中，改性第一填料的表面接枝聚苯乙烯单体；改性第二填料的表面接枝环氧官能团；改性第一绝缘材料的表面接枝硅氧基团和氨基基团；改性第二绝缘材料的表面接枝环氧官能团和氨基基团；本发明通过采用多粒径的改性高介电常数填料并结合改性后绝缘填料，能够解决现有太赫兹频段高介电复合材料难以兼具低损耗的问题。

本发明授权一种太赫兹频段高介电、低损耗复合材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹频段高介电、低损耗复合材料，其特征在于，包括：第一复合母粒材料；所述第一复合母粒材料的原料由改性第一高介电常数填料、改性第一绝缘材料及非极性聚合物组成；第二复合母粒材料；所述第二复合母粒材料的原料由改性第二高介电常数填料、改性第二绝缘材料及非极性聚合物组成；以及非极性聚合物基体；其中，第一高介电常数填料的粒径大于第二高介电常数填料；第二高介电常数填料的粒径大于第一绝缘材料和第二绝缘材料；所述第一高介电常数填料的粒径为15μm~20μm；所述第二高介电常数填料的粒径为1μm~5μm；所述第一绝缘材料的粒径为100nm~500nm；所述第二绝缘材料的粒径为100nm~500nm；所述改性第一高介电常数填料的制备方法包括：将第一高介电常数填料、第一硅烷偶联剂及溶剂进行混合，得到功能化填料；所述第一硅烷偶联剂为十八烷基三氯硅烷、十八烷基二甲基氯硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷中的至少一种；将所述功能化填料、苯乙烯单体及引发剂进行混合，以在所述功能化填料的表面接枝聚苯乙烯，得到改性第一高介电常数填料；所述改性第二高介电常数填料的表面接枝环氧官能团；所述改性第一绝缘材料的表面接枝硅氧基团和氨基基团；所述改性第二绝缘材料的表面接枝环氧官能团和氨基基团。

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