买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利五管半加器电路、数字存内计算阵列和静态随机存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119248225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411787533.9，技术领域涉及：G06F7/502；该发明授权五管半加器电路、数字存内计算阵列和静态随机存储器是由彭春雨;胡薇;韦一鸣;陈晓航;卢文娟;周永亮;吴秀龙设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本五管半加器电路、数字存内计算阵列和静态随机存储器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种五管半加器电路、数字存内计算阵列和静态随机存储器，其中，该五管半加器电路包括：第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第一PMOS管P1和第二PMOS管P2、第三PMOS管P3；第一NMOS管N1的源极与第一PMOS管P1的漏极以及第二PMOS管P2的漏极连接并构成第一节点SUM，第一NMOS管N1的栅极与电压源连接，第一NMOS管N1的漏极接地；第二NMOS管N2的栅极与第三PMOS管P3的栅极连接并构成第二节点D，第一PMOS管P1的源极以及第二PMOS管P2的栅极连接第二节点D；第三PMOS管P3的漏极与第二NMOS管N2的漏极连接并构成第三节点CO，第三PMOS管P3的源极接地；第二NMOS管N2的源极与第一PMOS管P1的栅极以及第二PMOS管P2的源极连接并构成第四节点C。解决了目前的半加器电路结构较为复杂的问题。

本发明授权五管半加器电路、数字存内计算阵列和静态随机存储器在权利要求书中公布了：1.一种五管半加器电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管、第三PMOS管；所述第一NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极以及所述第二PMOS管的漏极连接并构成第一节点，所述第一NMOS管的栅极与电压源连接，所述第一NMOS管的漏极接地；所述第二NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接并构成第二节点，第一PMOS管的源极以及第二PMOS管的栅极连接所述第二节点；所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接并构成第三节点，所述第三PMOS管的源极接地；所述第二NMOS管的源极与所述第一PMOS管的栅极以及第二PMOS管的源极连接并构成第四节点；所述第二节点和所述第四节点为所述五管半加器的输入节点，所述第一节点和所述第三节点为所述五管半加器的输出节点，第三节点用于输出进位信号，第四节点用于输出加法和；所述五管半加器电路所实现的运算功能为：SUM=，CO=C·D；其中，SUM为第一节点，D为第二节点，CO为第三节点，C为第四节点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经开区九龙路111号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。