恭喜江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司宋文龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司申请的专利一种低压二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411755572.0，技术领域涉及：H10D8/20；该发明授权一种低压二极管及其制备方法是由宋文龙;张鹏;杨珏林;张春生;陈城;刘湘;许志峰设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低压二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种低压二极管，包括N+单晶片，形成在所述N+单晶片表面的外延N‑‑层、N‑区、N‑区、P+区、介质层以及多晶硅，设置于所述多晶硅上方的第一金属层以及设置所述N+单晶片下方的第二金属层。本发明的一种低压二极管可以在芯片面积不变的条件下，通过新的结构和工艺设计，获得更低、更稳定一致的击穿电压，更低的漏电流。
本发明授权一种低压二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低压二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01、制备N+单晶片，外延N--层，所述N--层的电阻率为0.01~0.1Ω·cm；步骤02、生长场氧化层，正面光刻，形成N-区第一图形、N-区第二图形；步骤03、磷注入，推进，形成第一N-区、第二N-区；步骤04、正面光刻，形成P+区注入区图形；步骤05、淀积未掺杂的多晶硅；步骤06、正面硼注入，推进，形成P+区，其中，所述第一N-区、第二N-区的杂质浓度和所述P+区的杂质浓度公差为5%，所述P+区的结深为0.6-0.8μm；步骤07、正面淀积介质层，正面光刻，形成接触孔区；步骤08、正面蒸发金属，正面光刻，合金，形成金属区；步骤09、背面减薄，背面蒸发金属，形成金属区。
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