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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208347B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411748304.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备是由陈维邦设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，涉及集成电路技术领域，包括：衬底以及位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向交替排布，且沿朝向衬底方向延伸的光电二极管、叠层隔离结构。其中，光电二极管包括沿背离衬底的方向依次层叠的隔离层、第一光敏层、第二光敏层及第三光敏层；第一光敏层内包括沿第一方向间隔排布的多个第一SiP层，多个第一SiP层沿第二方向贯穿第一光敏层并延伸至隔离层。第三光敏层内包括沿第一方向间隔排布的多个第二SiP层，多个第二SiP层沿第二方向贯穿第三光敏层并延伸至第二光敏层，能够增加光生载流子数目，提高器件量子效率。

本发明授权背照式图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底的第一表面上且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排布，且沿朝向衬底的第二方向延伸的光电二极管、叠层隔离结构；所述光电二极管包括沿背离所述衬底的方向依次层叠的隔离层、第一光敏层、第二光敏层及第三光敏层；所述第一光敏层内包括沿所述第一方向间隔排布的多个第一SiP层，所述多个第一SiP层沿所述第二方向贯穿所述第一光敏层并延伸至所述隔离层；所述叠层隔离结构包括沿所述第二方向贯穿所述第一光敏层的第一隔离结构，沿所述第二方向贯穿所述第二光敏层的第二隔离结构，及沿所述第二方向贯穿所述第三光敏层的第三隔离结构；所述第一隔离结构、所述多个第一SiP层的沟槽为基于同一掩膜同步刻蚀而成；所述第一隔离结构的制备工艺先于所述第一SiP层的制备工艺；所述第二光敏层的制备工艺先于所述第二隔离结构的制备工艺；所述第三光敏层内包括沿所述第一方向间隔排布的多个第二SiP层，所述多个第二SiP层沿所述第二方向贯穿所述第三光敏层并延伸至所述第二光敏层；所述第三隔离结构、所述多个第二SiP层的沟槽为基于同一掩膜同步刻蚀而成；所述第三隔离结构的制备工艺先于所述第二SiP层的制备工艺；所述第一光敏层包含As，所述第二光敏层包含P，所述第三光敏层包含Sb。

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