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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利图像传感器及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411750648.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制备方法、电子设备是由李毅;王星设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种图像传感器及其制备方法、电子设备，包括：包括衬底、多个隔离结构以及多个光电二极管，隔离结构间隔设置在衬底内，光电二极管设置在相邻的隔离结构之间，隔离结构包括：第一隔离层，位于衬底内；第一高介电常数介质层，位于第一隔离层远离衬底的一侧；反射层，位于第一高介电常数介质层远离第一隔离层的一侧；第二高介电常数介质层，位于反射层远离第一高介电常数介质层的一侧；其中，反射层至少与第一高介电常数介质层或者第二高介电常数介质层中的一个具有相同的元素。本申请的图像传感器可以避免第二高介电常数介质层聚集在隔离结构底部的情况发生，提高了隔离结构侧壁的均匀性，从而提高了反射效率。

本发明授权图像传感器及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括衬底、多个隔离结构以及多个光电二极管，所述隔离结构间隔设置在所述衬底内，所述光电二极管设置在相邻的所述隔离结构之间，所述隔离结构包括：第一隔离层，位于所述衬底内；第一高介电常数介质层，位于所述第一隔离层远离所述衬底的一侧；反射层，位于所述第一高介电常数介质层远离所述第一隔离层的一侧；第二高介电常数介质层，位于所述反射层远离所述第一高介电常数介质层的一侧；其中，所述反射层分别与所述第一高介电常数介质层、所述第二高介电常数介质层具有相同的金属元素；所述反射层具有高反射率，可以提高所述隔离结构的反射效率；所述第一高介电常数介质层的厚度为40Å-100Å，所述反射层的厚度为10Å-60Å，所述第二高介电常数介质层的厚度为450Å-560Å。

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