恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司周跃跃获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411524759.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其制作方法是由周跃跃;张正杰;陈嘉勇设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法，通过控制刻蚀第一介质层的刻蚀终点以及控制研磨第二介质层的研磨终点，以去除第二晶体管上的第二介质层，保留第一晶体管的栅极结构上的第二介质层，第一晶体管的栅极结构上的第二介质层的顶面与第二晶体管的栅极结构的顶面的高度平齐，解决第一晶体管与第二晶体管存在高度差的问题，半导体结构的晶体管高度均匀，有利于后续制程的执行与控制。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上形成有第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极结构的顶面的高度低于所述第二晶体管的栅极结构的顶面的高度；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管，所述第一介质层的顶面的高度高于所述第二晶体管的栅极结构的顶面的高度；以所述第一晶体管的栅极结构的顶面作为刻蚀终点刻蚀所述第一晶体管上的所述第一介质层，暴露出所述第一晶体管的栅极结构的顶面；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一晶体管的栅极结构的顶面以及所述第一介质层；研磨去除所述第二晶体管上的所述第二介质层，暴露出所述第二晶体管的栅极结构，所述第二晶体管的栅极结构的顶面与所述第一晶体管的栅极结构上的所述第二介质层的顶面的高度平齐；去除所述第一晶体管的栅极结构之间的所述第二介质层以及全部的所述第一介质层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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