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龙图腾网恭喜无锡松煜科技有限公司申请的专利改善光伏电池单面氧化铝绕度的方法、光伏电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008782B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411484441.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权改善光伏电池单面氧化铝绕度的方法、光伏电池及其制备方法是由郑波;王洪喆;陈庆敏;李丙科;顾君设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善光伏电池单面氧化铝绕度的方法、光伏电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善光伏电池单面氧化铝绕度的方法、光伏电池及其制备方法，属于光伏电池制备技术领域。本发明的方法包括：对硅片制绒、硼扩散、背面刻蚀、隧穿氧化层及掺杂非晶硅、退火、去绕镀、双插氧化铝、正面沉积氮化硅后，在硅片背面非绕镀区制备氧化硅掩膜，然后进行等离子体刻蚀，去除绕镀区的氧化铝，之后通入氧气处理，得到表面均为氧化硅层的硅片；最后在氧化硅层表面生长氮化硅层。本发明使用掩膜与等离子体刻蚀结合，仅在非绕镀区的poly表面生长氧化硅掩膜保护poly不被刻蚀，然后用等离子体蚀刻绕镀区的氧化铝，在蚀刻后的表面生长氧化硅，得到表面为整面氮化硅的硅片，解决了背面绕镀导致的外观异常，改善了烧结，提升了电池效率。

本发明授权改善光伏电池单面氧化铝绕度的方法、光伏电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光伏电池单面氧化铝绕度的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1：对硅片进行制绒、硼扩散、背面刻蚀、隧穿氧化层及磷掺杂非晶硅、退火、去绕镀、双插氧化铝、正面沉积氮化硅，完成正膜；S2：将正膜后的硅片背面朝外，置于背膜炉管，进行升温、恒温、检漏和恒压处理；S3：在硅片背面制备氧化硅掩膜；S4：对含氧化硅掩膜的硅片进行等离子体刻蚀，去除绕镀区的氧化铝；S5：对背膜炉管进行抽真空、恒压后，通入氧气处理后，得到表面均为氧化硅层的硅片；S6：在步骤S5的硅片背面生长氮化硅层；步骤S3中，所述在硅片背面制备氧化硅掩膜是指在硅片背面的非绕镀区域制备氧化硅掩膜；所述氧化硅掩膜的具体制备工艺为：背膜炉管通入氧气后放电处理，非绕镀区域poly上层部分被氧化形成氧化硅掩膜，绕镀区域的氧化铝不受影响；步骤S4中，所述等离子体刻蚀是通入CCl4，放电进行等离子体刻蚀；所述等离子体刻蚀后，绕镀区域的氧化铝被刻蚀掉，非绕镀区域未被氧化的poly部分在氧化硅掩膜的保护下不被蚀刻。

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