恭喜长鑫科技集团股份有限公司曹堪宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411450961.2，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及其制造方法是由曹堪宇;庄凌艺;骆晓东设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；设置在衬底上的第一介质层，其具有远离衬底的第一表面；第一键合垫穿过第一表面并延伸至第一表面下方第一深度；第二键合垫穿过第一表面并延伸至第一表面下方第二深度，第二深度小于第一深度；第二介质层设置在第一表面上，第二介质层中设置有第一间隙和第二间隙，第一间隙暴露出第一键合垫的顶表面，第二间隙暴露出第二键合垫的顶表面。本公开实施例提供的半导体结构中的第一键合垫和第二键合垫相对于第二介质层的表面凹陷值通过控制第二介质层的厚度来保持一致，避免使用高精度的表面平坦化工艺。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：衬底；设置在所述衬底上的第一介质层，所述第一介质层具有远离所述衬底的第一表面；第一键合垫，所述第一键合垫穿过所述第一表面并延伸至所述第一表面下方第一深度；第二键合垫，所述第二键合垫穿过所述第一表面并延伸至所述第一表面下方第二深度，所述第二深度小于所述第一深度；第二介质层，所述第二介质层设置在所述第一表面上，所述第二介质层中设置有第一间隙和第二间隙，所述第一间隙完全暴露出所述第一键合垫的顶表面，所述第二间隙完全暴露出所述第二键合垫的顶表面；所述第一键合垫的顶表面以及所述第二键合垫的顶表面与所述第一表面齐平；被所述第一间隙完全暴露的所述第一键合垫的顶表面的表面积小于被所述第二间隙完全暴露的所述第二键合垫的顶表面的表面积。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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