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龙图腾网恭喜烟台奇创芯源科技有限公司申请的专利一种碲镉汞红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411125277.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种碲镉汞红外探测器及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碲镉汞红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及红外探测器芯片制备领域，公开了一种碲镉汞红外探测器及其制备方法，包括准备经过离子注入的、表面分布有复合钝化层的碲镉汞晶片；复合钝化层包括层叠的第一钝化层和第二钝化层；去除第二钝化层；在处理后碲镉汞晶片的表面制作图形化光刻胶；在再处理碲镉汞晶片的表面制作新的第二钝化层；去除图形化光刻胶，在新的第二钝化层中形成通孔；刻蚀位于通孔下方的第一钝化层和碲镉汞晶片，形成接触孔；制作电极，得到碲镉汞红外探测器。新的第二钝化层没有被离子注入工艺损伤，可以提升器件性能；采用剥离光刻胶的方式在新的第二钝化层中形成通孔，避免了刻蚀第二钝化层引起的接触孔深度均匀性变差的问题，同时有利于实现低损伤刻蚀工艺。

本发明授权一种碲镉汞红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碲镉汞红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：准备经过离子注入的、表面分布有复合钝化层的碲镉汞晶片；所述复合钝化层包括在远离所述碲镉汞晶片表面方向上层叠的第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层为碲化镉层，所述第二钝化层为硫化锌层；所述碲镉汞晶片为在带有复合钝化层的碲镉汞晶片表面形成光刻离子注入的光刻胶图形，将碲镉汞晶片放入离子注入机中进行硼离子注入工艺，注入后将碲镉汞晶片表面的光刻胶去除后得到；去除所述第二钝化层，得到处理后碲镉汞晶片；在所述处理后碲镉汞晶片的表面制作图形化光刻胶，得到再处理碲镉汞晶片；所述图形化光刻胶包括多个光刻胶圆柱，每个所述光刻胶圆柱对应位于所述碲镉汞晶片中n型区的正上方；在所述再处理碲镉汞晶片的表面制作新的第二钝化层，得到表面分布有新的复合钝化层的碲镉汞晶片；去除所述图形化光刻胶，在所述新的第二钝化层中形成通孔；刻蚀位于所述通孔下方的所述第一钝化层和所述碲镉汞晶片，形成接触孔；在所述接触孔中制作电极，引出所述碲镉汞晶片的PN结的电学性能，得到碲镉汞红外探测器。

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