天津赛米卡尔科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉天津赛米卡尔科技有限公司申请的专利一种基于双层钝化层调控的激光器结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222691092U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421576487.3，技术领域涉及：H01S5/028；该实用新型一种基于双层钝化层调控的激光器结构是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双层钝化层调控的激光器结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于双层钝化层调控的激光器结构，激光器结构沿着外延生长方向依次包括阴极电极、衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、脊波导层、阳极电极，其中，阳极电极完全覆盖脊波导层，且投影面积小于上限制层的投影面积；上限制层的上壁和脊波导层的侧壁沉积低K钝化层，低K钝化层上沉积高K钝化层；本实用新型中低K钝化层具有相对低的折射率，主要限制光场分布、减少光子泄漏；利用高K钝化层的分压小的特点来调控器件内部的横向能带、更好地限制空穴分布在脊型波导下方，减小激光器阈值电流。
本实用新型一种基于双层钝化层调控的激光器结构在权利要求书中公布了：1.一种基于双层钝化层调控的激光器结构，其特征在于，激光器结构沿着外延生长方向依次包括阴极电极109、衬底层101、下限制层102、下波导层103、量子阱有源层104、上波导层105、上限制层106、脊波导层107、阳极电极108，其中，阳极电极108完全覆盖脊波导层107，且投影面积小于上限制层106的投影面积；上限制层106的上壁和脊波导层107的侧壁沉积低K钝化层110，低K钝化层110上沉积高K钝化层111。
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