恭喜台湾积体电路制造股份有限公司侯上勇获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222690663U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420778128.X，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型半导体封装是由侯上勇;李建勋;王宗鼎;侯皓程设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体封装。实施例中介层可包括：多个第一重布线层，其包括嵌置于第一介电材料中的具有第一线宽及第一线间距的第一电性内联结构；以及多个第二重布线层，其包括嵌置于第二介电材料中的具有第二线宽及第二线间距的第二电性内联结构，使得第二线宽大于第一线宽且使得第二线间距大于第一线间距。第一介电材料可为聚酰亚胺、苯并环丁烯或聚苯并双恶唑中的一者，且第二介电材料可包括分散于环氧树脂中的无机微粒材料。中介层还可包括形成于第一重布线层之上的包含第二介电材料的保护层及被形成为第二重布线层的一部分的包含第一介电材料的表面层。
本实用新型半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，其特征在于，包括：中介层，包括：多个第一重布线层，包括嵌置于第一介电材料中的具有第一线宽及第一线间距的第一电性内联结构；以及多个第二重布线层，包括嵌置于第二介电材料中的具有第二线宽及第二线间距的第二电性内联结构，其中所述第二线宽大于所述第一线宽，且其中所述第二线间距大于所述第一线间距。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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