恭喜深圳市国德实业有限公司刘佳毅获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市国德实业有限公司申请的专利集成电路的封装结构及集成电路封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410398976.2，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权集成电路的封装结构及集成电路封装方法是由刘佳毅设计研发完成，并于2024-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路的封装结构及集成电路封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电路的封装结构及集成电路封装方法，封装结构包括正装芯片、倒装芯片与连接板；连接板，其置于正装芯片与倒装芯片之间；连接板具有基板以及位于基板上的电接触部与贯穿连接部；电接触部的类型分为信号接触部与地接触部；贯穿连接部穿过基板并连接位于基板正、反两侧的电接触部；连接板还包括屏蔽网与第一绝缘层；基板的正、反表面具有离子渗透层，屏蔽网与离子渗透层接触；信号接触部被第一绝缘层隔绝在屏蔽网的外侧；地接触部具有置于屏蔽网外侧的主体部，以及穿过屏蔽网并直接与基板的硅本体接触的穿引部。本发明可以增强对异面芯片之间电磁干扰的屏蔽效果，同时还能抑制同面芯片之间的电磁干扰。
本发明授权集成电路的封装结构及集成电路封装方法在权利要求书中公布了：1.集成电路的封装结构，其包括：正装芯片；倒装芯片；连接板，其置于所述正装芯片与所述倒装芯片之间；所述连接板具有基板以及位于所述基板上的：电接触部，其类型分为信号接触部与地接触部；贯穿连接部，其穿过所述基板并连接位于所述基板正、反两侧的所述电接触部；屏蔽网；第一绝缘层；其特征在于：所述基板的正、反表面具有离子渗透层，所述屏蔽网与所述离子渗透层接触；所述信号接触部被所述第一绝缘层隔绝在所述屏蔽网的外侧；所述地接触部具有：置于所述屏蔽网外侧的主体部，以及穿过所述屏蔽网并直接与所述基板的硅本体接触的穿引部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市国德实业有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场6001B；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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