恭喜台湾积体电路制造股份有限公司荷尔本朵尔伯斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利闪存单元及包括其的积体组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222692191U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420589213.1，技术领域涉及：H10B41/30；该实用新型闪存单元及包括其的积体组件是由荷尔本朵尔伯斯;乔治奥斯韦理安尼堤斯;马可范达尔;林佑明;奥雷斯特马迪亚设计研发完成，并于2024-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存单元及包括其的积体组件在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例是关于一种闪存单元及包括其的积体组件，所述积体组件包括：位于基底之上的控制闸极，控制闸极具有第一长度；位于控制闸极上的穿隧介电质；具有第二长度且位于穿隧介电质上的浮置闸极，穿隧介电质分隔控制闸极与浮置闸极；位于浮置闸极上的阻挡介电质；位于阻挡介电质上的通道，阻挡介电质分隔通道与浮置闸极；以及位于通道上的源极汲极端子，其中控制闸极的第一长度小于浮置闸极的第二长度。
本实用新型闪存单元及包括其的积体组件在权利要求书中公布了：1.一种积体组件，其特征在于，包括：控制闸极，位于基底之上，所述控制闸极具有第一长度；穿隧介电质，位于所述控制闸极上；浮置闸极，具有第二长度且位于所述穿隧介电质上，所述穿隧介电质分隔所述控制闸极与所述浮置闸极；阻挡介电质，位于所述浮置闸极上；通道，位于所述阻挡介电质上，所述阻挡介电质分隔所述通道与所述浮置闸极；以及源极汲极端子，位于所述通道上；其中所述控制闸极的所述第一长度小于所述浮置闸极的所述第二长度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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