恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司黄兴杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利半导体结构及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222692192U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420524507.6，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型半导体结构及电子设备是由黄兴杰;赵杰;陈扶;李兴俊;刘艳设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及电子设备。其中，半导体结构包括：沟道层、势垒层、绝缘介质层与栅极。所述势垒层位于所述沟道层与所述栅极之间，所述栅极位于所述势垒层背向所述沟道层的一侧。所述栅极包括第一栅极与第二栅极。所述第二栅极位于所述第一栅极与所述势垒层之间，所述第一栅极位于所述第二栅极背向所述势垒层的一侧。所述绝缘介质层与所述第二栅极的侧壁相接触，且围绕所述第二栅极。根据本申请实施例，有效防止半导体结构的击穿。
本实用新型半导体结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：沟道层、势垒层、绝缘介质层与栅极；所述势垒层位于所述沟道层与所述栅极之间，所述栅极位于所述势垒层背向所述沟道层的一侧；所述栅极包括第一栅极与第二栅极；所述第二栅极位于所述第一栅极与所述势垒层之间，所述第一栅极位于所述第二栅极背向所述势垒层的一侧；所述绝缘介质层与所述第二栅极的侧壁相接触，且围绕所述第二栅极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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