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龙图腾网恭喜淮安澳洋顺昌光电技术有限公司申请的专利发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118213446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410222201.X，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权发光二极管是由李冬梅;任加洛;陶亚权;王思博;廖汉忠;芦玲设计研发完成，并于2024-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，公开了一种发光二极管，包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N电极和P电极，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述N电极与所述P电极之间相互绝缘；所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层中部的凹槽，所述凹槽的底部为第一表面；所述P电极位于所述P型半导体层上且与所述P型半导体层电连接；在所述凹槽内还设有内槽，所述内槽的底部为第二表面，所述第二表面的粗糙度低于所述第一表面的粗糙度，所述N电极通过所述内槽的第二表面与所述N型半导体层电连接。

本发明授权发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，包括N型半导体层、有源层、P型半导体层、N电极和P电极，所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在衬底上，所述N电极与所述P电极之间相互绝缘；所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层中部的凹槽，所述凹槽的底部为第一表面；所述P电极位于所述P型半导体层上且与所述P型半导体层电连接；其特征在于，在所述P型半导体层与所述P电极之间还依次层叠有第一CBL层、DBR层和第二CBL层；所述DBR层上设有暴露所述第一CBL层的第一通孔，所述第一CBL层和所述第二CBL层上设有暴露所述P型半导体层的第二通孔，所述第一CBL层和所述第二CBL层将所述DBR层完全包裹密封；在所述凹槽内还设有内槽，所述内槽的底部为第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有高度差△H1，所述N电极通过所述内槽的第二表面与所述N型半导体层电连接；所述第二表面的粗糙度小于所述第一表面的粗糙度，所述高度差为200Å≤△H1≤2000Å。

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