恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司黄兴杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222692195U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420319594.1，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体装置是由黄兴杰;赵杰;陈扶;刘艳设计研发完成，并于2024-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置，涉及半导体器件设计制造领域，包括基板，半导体叠层，第一电极与第二电极，第一栅极与第二栅极，还包括一个介质层，所述介质层连续地形成于所述第一电极与所述第一栅极之间的所述半导体叠层上、所述第一控制层与所述第二控制层的侧面、所述第一控制层与所述第二控制层之间的所述半导体叠层上、所述第一控制层与第一栅极金属之间、所述第二控制层与第二栅极金属之间、所述第二控制层与所述第二电极之间的所述半导体叠层上。具有改善表面态和电流崩塌效应的优点，以及提高栅极击穿电压的优点。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.半导体装置，包括：一基板；一半导体叠层，形成在所述基板上；第一电极与第二电极，相互有间隔地形成在所述半导体叠层上；第一栅极与第二栅极，相互有间隔地形成在所述半导体叠层上，且所述第一栅极形成在所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二栅极形成在所述第一栅极与所述第二电极之间，所述第一栅极由第一控制层与第一栅极金属构成，所述第二栅极由第二控制层与第二栅极金属构成；其特征在于：介质层，所述介质层连续地形成于所述第一电极与所述第一栅极之间的所述半导体叠层上、所述第一控制层与所述第二控制层的侧面、所述第一控制层与所述第二控制层之间的所述半导体叠层上、所述第一控制层与第一栅极金属之间、所述第二控制层与第二栅极金属之间、所述第二控制层与所述第二电极之间的所述半导体叠层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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