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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利基于底部流道欧姆与双面倒装封装技术的氧化镓二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198147B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410163789.6，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权基于底部流道欧姆与双面倒装封装技术的氧化镓二极管是由李园;马晓华;彭凯;杨一彤;赵元富;陆小力;何云龙;郝跃设计研发完成，并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于底部流道欧姆与双面倒装封装技术的氧化镓二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于底部流道欧姆与双面倒装封装技术的氧化镓二极管，包括器件区和封装区；器件区包括氧化镓衬底、氧化镓漂移层、阴极、绝缘层、阳极；封装区包括上基板和下基板；氧化镓漂移层位于氧化镓衬底下面；衬底的上表面一侧形成有若干流道，漂移层的下表面一侧形成有凹槽阵列；阴极位于衬底的上表面，形成阴极欧姆区；绝缘层设置在漂移层每一个凹槽内，并自凹槽底部经侧壁向下延伸至覆盖部分漂移层的下表面；阳极位于氧化镓漂移层和绝缘层的下表面，以形成阳极肖特基区；封装区采用双面倒装封装方法将阳极肖特基区连接至下基板；同时将阴极欧姆区连接至上基板。该器件结构全面提高了氧化镓二极管稳、瞬态工况下的热电特性和可靠性。

本发明授权基于底部流道欧姆与双面倒装封装技术的氧化镓二极管在权利要求书中公布了：1.一种基于底部流道欧姆与双面倒装封装技术的氧化镓二极管，其特征在于，包括器件区和封装区；所述器件区包括氧化镓衬底、氧化镓漂移层、阴极、绝缘层和阳极；所述封装区包括上基板和下基板；其中，所述氧化镓漂移层位于所述氧化镓衬底下面；所述氧化镓衬底的上表面一侧形成有若干流道，所述氧化镓漂移层的下表面一侧形成有凹槽阵列；所述阴极位于所述氧化镓衬底的上表面，并覆盖所述流道侧壁和底部，形成阴极欧姆区；所述绝缘层设置在所述氧化镓漂移层凹槽阵列的每一个凹槽内，并自凹槽底部经侧壁向下延伸至覆盖凹槽顶部侧边缘处的部分氧化镓漂移层的下表面；所述阳极位于所述氧化镓漂移层和所述绝缘层的下表面，并完全填充每个凹槽，以形成阳极肖特基区；所述封装区采用双面倒装封装技术将所述阳极肖特基区连接至所述下基板，同时将所述阴极欧姆区连接至所述上基板；所述封装区还包括加厚电极、连接层、第一金属化层以及第二金属化层；其中，所述加厚电极包括两部分，分别设置在所述阳极和所述阴极的表面；所述连接层包括两部分，分别设置在两部分加厚电极上；所述第一金属化层包括两部分，分别设置在所述上基板的下表面和所述下基板的上表面；所述器件区阳极向下倒装在所述上基板和所述下基板之间；其中，位于所述上基板上的第一金属化层通过对应的连接层与位于所述阴极表面的加厚电极连接，位于所述下基板上的第一金属化层通过对应的连接层与位于所述阳极表面的加厚电极连接；且在所述阴极一侧，所述连接层完全填充所述若干流道；所述第二金属化层包括两部分，设置在所述下基板的上表面，并位于所述第一金属化层的两侧；且所述第二金属化层与位于所述上基板上的第一金属化层连接。

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