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龙图腾网恭喜深圳大学申请的专利一种集成保护结构的氮化镓HEMT及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118156298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410128732.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种集成保护结构的氮化镓HEMT及制备方法是由月文;刘新科;王敏;贺威;黎晓华设计研发完成，并于2024-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成保护结构的氮化镓HEMT及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成保护结构的氮化镓HEMT及制备方法，HEMT包括：单晶衬底、功能器件、保护电路以及高阻区；单晶衬底的抛光面上具有功能器件区域和保护电路区域，功能器件设置于单晶衬底的功能器件区域上，保护电路设置于单晶衬底的保护电路上，保护电路和单晶衬底、保护电路和功能器件之间通过部分高阻区分隔；功能器件包括源极S、栅极G1和漏极D，保护电路包括依次连接的电极S1、一保护模块、电极G2、另一保护模块以及电极G3；各保护模块由二极管和电阻并联组成，源极S电连接于电极S1，栅极G1电连接于电极G2。该HEMT集成了功能器件与保护电路，能够释放栅极电荷防止击穿，还减小了关断时间，降低了开关的功耗，提升了整体的可靠性。

本发明授权一种集成保护结构的氮化镓HEMT及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成保护结构的氮化镓HEMT，其特征在于，包括：单晶衬底、功能器件、保护电路以及高阻区；所述单晶衬底的抛光面上具有功能器件区域和保护电路区域，所述功能器件设置于所述单晶衬底的所述功能器件区域上，所述保护电路设置于所述单晶衬底的所述保护电路区域上，所述保护电路和所述单晶衬底、所述保护电路和所述功能器件之间通过部分所述高阻区分隔；所述功能器件包括源极S、栅极G1和漏极D，所述保护电路包括依次连接的电极S1、一保护模块、电极G2、另一保护模块以及电极G3；各所述保护模块由二极管和电阻并联组成，所述源极S电连接于所述电极S1，所述栅极G1电连接于所述电极G2；一所述保护模块包括通过部分所述高阻区分隔的第一二极管和第一电阻；另一保护模块包括通过部分所述高阻区分隔的第二电阻和第二二极管；两所述保护模块之间也通过部分所述高阻区分隔；所述电极S1接触所述第一二极管的p阱区和所述第一电阻；所述电极G2接触所述第一二极管的n衬底、所述第一电阻、所述第二电阻以及所述第二二极管的p阱区；所述电极G3接触所述第二电阻和所述第二二极管的n衬底。

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