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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310288997.4，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法是由庄喆;桑艺萌;刘斌;陶涛设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。

本发明授权垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.制备垂直型MOSFET与LED单片集成芯片的方法，其特征在于，垂直型MOSFET与LED单片集成芯片，包括在GaN生长的衬底材料上表面依次制备MOSFET结构和LED结构，以及栅介质层和金属电极层；所述MOSFET结构，包括由下而上依次叠加的缓冲层、电流扩展层、漂移层和沟道层；所述LED结构，由下而上依次叠加的n+-GaN电子层，InGaNGaN多量子阱层，p-AlGaN电子阻挡层和p+-GaN空穴层；MOSFET结构的漏电极与LED结构的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET结构的栅极调控通过MOSFET结构中的电流，达到MOSFET结构调控LED发光的目的；所述方法包括如下步骤：S1、在衬底上表面生长MOSFET结构和LED结构；S2、利用ICP技术，光刻胶做掩膜，通入Cl2和BCl3的混合气体，各向异性刻蚀p+-GaN空穴层、p-AlGaN电子阻挡层、InGaNGaN多量子阱层以及部分n+-GaN电子层；S3、利用ICP技术，光刻胶做掩膜，刻蚀MOSFET结构至n+-GaN电流扩展层，形成MOSFET源极结构垂直贯穿n+-GaN电子层，p-GaN沟道层以及n-GaN漂移层和部分n+-GaN电流扩展层；S4、采用EBE蒸镀的金属Ni作为刻蚀掩膜，利用ICP技术，选择性刻蚀MOSFET结构至n-GaN漂移层，形成的MOSFET栅极沟槽结构垂直贯穿n+-GaN电子层和p-GaN沟道层，栅极沟槽刻蚀后，将得到的样品用四甲基氢氧化铵溶液湿法处理；S5、在MOSFET结构顶部表面、栅极沟槽表面以及LED结构表面采用ALD沉积Al2O3作为栅介质层；S6、利用RIE技术，光刻胶做掩膜，在沉积栅介质层的器件表面刻蚀开MOSFET源极、LED阳极孔，利用EBE技术，在刻蚀出的接触孔中和栅极沟槽表面蒸镀TiAlNiAu金属电极层。

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