恭喜湖北兴福电子材料股份有限公司张庭获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116240024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211608445.9，技术领域涉及：C09K13/08；该发明授权一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液是由张庭;贺兆波;叶瑞;李金航;徐子豪;武昊冉;许真设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液在说明书摘要公布了：本发明提供了一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液，例如，硼掺杂多晶硅、硼磷掺杂多晶硅，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、添加剂、有机酸以及超纯水。本发明的蚀刻液通过添加剂的作用，能够得到表面张力低、浸润性优的蚀刻液，同时添加剂和有机酸的加入对掺杂多晶硅具有保护效果，可以在掺杂多晶硅表面形成稳定的保护膜，选择性地蚀刻二氧化硅，二氧化硅和掺杂多晶硅的蚀刻选择比可以达到2000以上，且掺杂多晶硅层蚀刻后的表面粗糙度在0.050nm以下。本发明的蚀刻液在不影响二氧化硅层和氮化硅膜层蚀刻速率的情况下，对掺杂多晶硅层具有更优的保护效果。
本发明授权一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液在权利要求书中公布了：1.一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液，其特征在于：所述的蚀刻液成分为2-8wt%的氢氟酸、10-25wt%的氟化铵、0.01-0.1wt%的添加剂、0.01-0.1wt%的有机酸、余量为超纯水；所述添加剂为十二烷基琥珀酸、聚环氧琥珀酸、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸中的一种；所述掺杂多晶硅包括硼掺杂多晶硅或硼磷掺杂多晶硅，所述蚀刻液的pH为5-6；所述有机酸为乙酸、草酸、柠檬酸、乳酸、丁二酸、苹果酸、抗坏血酸中的一种或几种。
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