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龙图腾网恭喜大连芯材薄膜技术有限公司申请的专利在铝底电极上原位生长纤锌矿氮化铝基薄膜和超薄氧化铝保护层的复合薄膜的方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115652271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211423044.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权在铝底电极上原位生长纤锌矿氮化铝基薄膜和超薄氧化铝保护层的复合薄膜的方法和应用是由周大雨;孙纳纳;徐进设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本在铝底电极上原位生长纤锌矿氮化铝基薄膜和超薄氧化铝保护层的复合薄膜的方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种在铝底电极上原位生长纤锌矿氮化铝基薄膜和超薄氧化铝保护层的复合薄膜的方法和应用，利用同一Al金属靶在衬底上沉积111织构Al金属底电极，随后改变沉积气氛等工艺参数，实现111织构Al底电极薄膜和0002织构纤锌矿AlN基薄膜的原位连续生长。继续利用Al金属靶，在纤锌矿AlN基薄膜表面原位生长Al金属薄膜，最后将Al金属薄膜原位氧化为超薄致密的Al2O3层对其下的AlN基压电、铁电薄膜进行完全覆盖保护。本发明能够解决传统非原位连续方法制备底电极AlN基薄膜时底电极表面易受污染、两层膜之间易出现孔隙、空洞和AlN基薄膜中易含有异类金属元素掺杂等问题，解决AlN基薄膜的易潮解氧化问题；操作简便易行，工程实用性强。

本发明授权在铝底电极上原位生长纤锌矿氮化铝基薄膜和超薄氧化铝保护层的复合薄膜的方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种在铝底电极上原位生长纤锌矿氮化铝基薄膜和超薄氧化铝保护层的复合薄膜的方法，其特征在于，所述方法首先在同一腔室、利用同一Al金属靶，在衬底上沉积（111）织构Al金属底电极，随后改变工艺参数，实现（111）织构Al底电极薄膜和（0002）织构纤锌矿AlN基薄膜的原位连续生长；其次，继续利用Al金属靶，在纤锌矿AlN基薄膜表面原位生长Al金属薄膜；最后将Al金属薄膜原位氧化为超薄致密的Al2O3层对其下的AlN基压电、铁电薄膜进行完全覆盖保护；具体包括以下步骤：步骤一：衬底清洗，所述的衬底采用蓝宝石、Si、Ge、GaN或其他III-V族半导体材料中的一种；步骤二：整个过程采用同一Al金属靶，在纯Ar气氛下，采用磁控溅射技术在衬底上沉积Al底电极薄膜，通过调控工艺参数使Al底电极薄膜具有（111）织构组织结构；随后在同一腔室，附加Sc、Y、B作为掺杂元素靶，在Ar、N2混合气氛或纯N2气氛下，采用磁控溅射技术在Al底电极薄膜上原位沉积AlN基薄膜，利用Al底电极薄膜的（111）晶面织构诱导纤锌矿AlN基薄膜具有（0002）织构化组织结构；之后在同一腔室继续采用磁控溅射技术，在纯Ar气氛下，采用磁控溅射技术在AlN基薄膜表面原位沉积厚度为2-5纳米的金属Al薄膜；最后对该金属Al薄膜在同一真空腔室内进行原位氧化处理，使其转变为非晶态、致密的Al2O3薄层完全覆盖在其下的纤锌矿AlN基压电、铁电薄膜上，所述的Al2O3薄层的厚度为2-5nm。

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