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龙图腾网恭喜闽南师范大学申请的专利一种利用微晶锗薄膜实现低温Si-Ge和Si-InP键合的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483091B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211165174.4，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权一种利用微晶锗薄膜实现低温Si-Ge和Si-InP键合的方法是由柯少颖;汪杰;李嘉辉;周锦荣;黄志伟设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用微晶锗薄膜实现低温Si-Ge和Si-InP键合的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种利用微晶锗薄膜实现低温Si‑Ge和Si‑InP键合的方法，利用微晶锗薄膜中间层，实现高质量低温Si‑Ge和Si‑InP键合的方法，不仅可以避免高温键合带来的应力问题，而且还能避免界面形成氧化层、减少界面气泡和提高键合强度。本发明是利用磁控溅射的方法来制备微晶Ge薄膜实现Si‑Ge或Si‑InP的键合，此方法是一种简易且低成本的材料制备方法。

本发明授权一种利用微晶锗薄膜实现低温Si-Ge和Si-InP键合的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用微晶锗薄膜实现低温Si-Ge和Si-InP键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）微晶Ge薄膜的制备，具体方法如下：（1-1）将Si片表面处理后甩干，然后放入高真空薄膜沉积系统，抽真空使得溅射腔体真空度达到1×10-4Pa；（1-2）经步骤（1-1）处理后调节温度控制系统来对样品托盘进行升温处理；（1-3）经步骤（1-2）处理后等待温度稳定在设定值且真空度小于1×10-4Pa，向溅射腔体通入纯度为5N的Ar气，然后通过调节抽真空的速率，使得腔体压强稳定在0.5-0.8Pa；（1-4）通过设置直流溅射电源功率与样品托盘的旋转速度溅射a-Ge薄膜；（1-5）通过保温时间来使得a-Ge薄膜部分结晶，获得微晶Ge薄膜；（2）利用微晶Ge层实现高质量的Si-Ge和Si-InP键合，具体方法如下：（2-1）将Ge片或InP片表面处理后甩干，然后与生长完微晶Ge的Si片直接贴合；（2-2）将步骤（2-1）获得的贴合片热压；（2-3）将步骤（2-2）获得的贴合片退火，即实现低温Si-Ge和Si-InP键合；步骤（1-2）中对样平托盘进行升温处理，温度控制在300℃-400℃之间；步骤（1-3）中先通入Ar气10-15min，再控压到0.5-0.8Pa保持5-10min；步骤（1-5）中保温时间是采用温度控制系统进行控制，输入10-30min的保温时间，时间到达后自动降温。

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