恭喜西北有色金属研究院陈凯运获国家专利权
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龙图腾网恭喜西北有色金属研究院申请的专利一种锰基MXenes自旋场效应管及其制备和使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211167512.8，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权一种锰基MXenes自旋场效应管及其制备和使用方法是由陈凯运;贺加贝;阚东晓;宋梦珊设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锰基MXenes自旋场效应管及其制备和使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种锰基MXenes自旋场效应管，包括基底、第一电极层、第一隔离层和氢原子钝化Mn2NO2层，氢原子钝化Mn2NO2层上间隔设置有第二隔离层和第三隔离层，第二电极层和第三电极层，另外还提供了一种锰基MXenes自旋场效应管的使用方法，通过施加局域电场诱发氢原子钝化Mn2NO2部分区域由半导体转变为半金属，形成半金属半导体半金属横向异质结，仅采用氢原子钝化Mn2NO2单一材料，通过采用局域电场的方式调控特定区域由半导体转变为半金属性，形成半金属半导体的横向异质结，以不同外磁场对各个自旋场效应管进行磁化，用于写入信息，并通过检测各个通道中的自旋电子信号，进行逻辑运算与磁性存储。
本发明授权一种锰基MXenes自旋场效应管及其制备和使用方法在权利要求书中公布了：1.一种锰基MXenes自旋场效应管，其特征在于，所述自旋场效应管包括基底1，所述基底1上表面从下至上依次设置有第一电极层2、第一隔离层3和氢原子钝化Mn2NO2层4，所述氢原子钝化Mn2NO2层4上分别间隔设置有第二隔离层5和第三隔离层6，所述第二隔离层5上表面设置有第二电极层7，所述第三隔离层6上表面设置有第三电极层8。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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