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龙图腾网恭喜苏州迈为科技股份有限公司申请的专利异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211034337.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池是由贺晨冉;彭振维;郁操;曹新民;王登志设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请公开了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，属于太阳能电池领域。异质结太阳能电池的制备方法，包括：在半导体衬底的第一表面形成第一本征层，在半导体衬底的第二表面形成第二本征层，第一表面与第二表面相对；在第一本征层的表面形成N型掺杂层，在第二本征层的表面形成P型掺杂层；其中，形成N型掺杂层，包括：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积工艺在第一本征层上形成第一N型掺杂层；采用射频等离子体增强化学气相沉积工艺在第一N型掺杂层上形成第二N型掺杂层。本申请可以在保证镀膜效果的前提下降低生产成本，能够缓解当前单独使用RF‑PECVD或VHF‑PECVD均无法满足异质结电池产业化高效率、低成本和高稳定性需求的问题。

本发明授权异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底的第一表面形成第一本征层，在所述半导体衬底的第二表面形成第二本征层，其中所述第一表面与所述第二表面相对；在所述第一本征层背离所述半导体衬底的表面形成N型掺杂层，在所述第二本征层背离所述半导体衬底的表面形成P型掺杂层；所述N型掺杂层为掺杂有第V族元素和氧元素的氢化微晶硅层；其中，形成N型掺杂层，包括：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一本征层上形成第一N型掺杂层；采用射频等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一N型掺杂层上形成第二N型掺杂层；形成所述第一N型掺杂层和形成所述第二N型掺杂层在不同的工艺腔室内进行；形成所述第一N型掺杂层的工艺条件包括：甚高频电源的频率为20～50MHz，功率密度为10～500mWcm2，衬底表面温度为120～300℃，沉积时间为1～1500s，反应气体压强为0.5～10Torr；其中参与反应的气体包括硅烷、氢气、磷烷和二氧化碳，硅烷流量为10～500sccm，氢气流量为200～10000sccm，磷烷流量为0～5000sccm，二氧化碳流量为0～2000sccmV；和或，形成所述第二N型掺杂层的工艺条件包括：射频电源的频率为13～14MHz，功率密度为10～500mWcm2，衬底表面温度为120～300℃，沉积时间为1～1500s，反应气体压强为0.5～10Torr；其中参与反应的气体包括硅烷、氢气、磷烷和二氧化碳，硅烷流量为10～500sccm，氢气流量为200～10000sccm，磷烷流量为0～5000sccm，二氧化碳流量为0～2000sccm；所述第一N型掺杂层占整个N型掺杂层厚度的20%～80%。

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