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龙图腾网恭喜北京华林嘉业科技有限公司申请的专利槽式化合物晶片表面颗粒及金属残留物的化学清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211018864.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权槽式化合物晶片表面颗粒及金属残留物的化学清洗方法是由耿彪;耿仕昂设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本槽式化合物晶片表面颗粒及金属残留物的化学清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及槽式化合物晶片表面颗粒及金属残留物的化学清洗方法，通过将晶片依次进行酸洗、SPM清洗、HQDR清洗、SC1清洗、QDR清洗、SC1清洗、QDR清洗、SC2清洗、QDR清洗、DHF清洗、HQDR清洗、HOFR清洗、干燥。本发明通过对各流程进行优化设计，清洗流程短，操作简便；本发明能够针对性的分步、分级、逐级清除不同尺寸颗粒，减少表面颗粒、污物以及金属残留物的残留量，大幅提高晶片品质。最终能够达到：清洗后的晶片表面总金属含量≤2E10atomScm2，金属包括16类Na，Al，K，Ca，Ti，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Au，Ag，V，Hg。

本发明授权槽式化合物晶片表面颗粒及金属残留物的化学清洗方法在权利要求书中公布了：1.槽式化合物晶片表面颗粒及金属残留物的化学清洗方法，其特征在于包括以下步骤：将晶片依次进行酸洗、SPM清洗、HQDR清洗、SC1清洗、QDR清洗、SC1清洗、QDR清洗、SC2清洗、QDR清洗、DHF清洗、HQDR清洗、HOFR清洗、干燥；所述酸洗的清洗液为硫酸溶液；所述SPM清洗的清洗液为硫酸和双氧水的混合液；所述HQDR清洗的清洗液为热的去离子水；所述SC1清洗的清洗液为氨水、双氧水和水的混合液；所述QDR清洗的清洗液为去离子水；所述SC2清洗的清洗液为盐酸、双氧水和水的混合液；所述DHF清洗的清洗液为氢氟酸；所述HOFR清洗的清洗液为去离子水；所述SC1清洗的清洗方式采用具有多个共振频率的复频超声清洗；所述复频超声清洗具有两个共振频率，分别为51.3kHz和81.2kHz；所述SC2清洗和HOFR清洗的清洗方式均采用兆声清洗；所述兆声清洗的频率为950~1000kHz。

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