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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利嵌入式SONOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210842677.4，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权嵌入式SONOS器件及其制备方法是由周平生;张可钢设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入式SONOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种嵌入式SONOS器件及其制备方法，其中方法包括：去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第一厚度的ONO膜层；采用湿法刻蚀工艺去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第二厚度的ONO膜层；去除所述存储管区的第一厚度的ONO膜层、去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第三厚度的ONO膜层；形成第一栅氧化层；形成第二栅氧化层。本申请利用湿法刻蚀工艺去除第二厚度的ONO膜层，避免了ONO膜层中的氮化硅残留的情况。进一步的，本申请分别形成第一栅氧化层和第二栅氧化层，并且在这之后没有其他湿法工艺步骤，减少了因湿法工艺带来ONO的膜厚的波动，减小了SONOS器件窗口的散度，提升了器件的性能。

本发明授权嵌入式SONOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式SONOS器件的制备方法，其特征在于，所述嵌入式SONOS器件包括：存储管区、选择管区和器件逻辑区，所述嵌入式SONOS器件的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底的表面形成有衬垫氧化层，所述衬底中形成有多个间隔设置的浅沟槽隔离结构以分隔嵌入式SONOS器件中的存储器件和逻辑器件，其中，所述存储管区和所述选择管区的衬底中均形成有第一阱区；所述存储管区的衬底中还形成有位于所述第一阱区上的第二阱区；对所述存储管区的第二阱区进行离子注入工艺并在所述存储管区的第二阱区表面形成一遂穿存储区；去除所述存储管区、所述选择管区和所述器件逻辑区的衬垫氧化层；形成ONO膜层，所述ONO膜层覆盖所述存储管区、所述选择管区和所述器件逻辑区的衬底；去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第一厚度的ONO膜层；对所述选择管区和所述器件逻辑区的衬底进行离子注入工艺以在所述选择管区形成第三阱区，以及在所述器件逻辑区的衬底中形成第四阱区、第五阱区；采用湿法刻蚀工艺去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第二厚度的ONO膜层；去除所述存储管区的第一厚度的ONO膜层，以及去除所述选择管区和所述器件逻辑区的第三厚度的ONO膜层以露出所述选择管区和所述器件逻辑区的衬底；形成第一栅氧化层，所述第一栅氧化层覆盖所述选择管区和所述器件逻辑区的衬底；以及，形成第二栅氧化层，所述第二栅氧化层覆盖所述存储管区的剩余厚度的ONO膜层。

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