恭喜友达光电股份有限公司吴尚霖获国家专利权
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龙图腾网恭喜友达光电股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210825455.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体装置及其制造方法是由吴尚霖设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、第一氮化硅层、第二氮化硅层、氧化物绝缘层以及第一金属氧化物层。第一氮化硅层位于基板之上。第二氮化硅层位于第一氮化硅层之上。第一氮化硅层与第二氮化硅层都包含氢元素。第二氮化硅层的氢浓度低于第一氮化硅层的氢浓度。第二氮化硅层的厚度小于第一氮化硅层的厚度。氧化物绝缘层位于第二氮化硅层上。第一金属氧化物层位于氧化物绝缘层上。第二氮化硅层位于第一金属氧化物层与基板之间。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：基板；第一氮化硅层，位于该基板之上；第二氮化硅层，位于该第一氮化硅层之上，其中该第一氮化硅层与该第二氮化硅层都包含氢元素，且该第二氮化硅层的氢浓度低于该第一氮化硅层的氢浓度，该第二氮化硅层的厚度小于该第一氮化硅层的厚度；氧化物绝缘层，位于该第二氮化硅层上；第一金属氧化物层，位于该氧化物绝缘层上，其中该第二氮化硅层位于该第一金属氧化物层与该基板之间；第二金属氧化物层，位于该氧化物绝缘层上，其中该第一氮化硅层以及该第二氮化硅层位于该第一金属氧化物层与该基板之间，该第一氮化硅层位于该第二金属氧化物层与该基板之间，且该第二氮化硅层于该基板的上表面的法线方向上不重叠于该第二金属氧化物层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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