恭喜湖北万度光能有限责任公司陈夏岩获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北万度光能有限责任公司申请的专利一种介孔中半导体材料的形貌表征方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115165495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210804608.4，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种介孔中半导体材料的形貌表征方法是由陈夏岩;盛余松设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种介孔中半导体材料的形貌表征方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种介孔中半导体材料的形貌表征方法，包括如下步骤：取待测材料，在所述待测材料表面贴覆胶层，撕下所述胶层，得到粘附有介孔材料的第一纹理胶层；在所述待测材料表面贴覆胶层，撕下所述胶层，得到粘附有介孔材料的第二纹理胶层；重复贴覆胶层、撕下胶层的步骤，直至得到的纹理胶层上无介孔材料的痕迹，得到第n纹理胶层；根据得到的纹理胶层，按照从第一纹理胶层至第n纹理胶层的顺序，得到n个剥离图片，对所述剥离图片进行处理，获得介孔中半导体材料的生长形貌。本发明所述的介孔中半导体材料的形貌表征方法，可以方便快速的获知介孔结构中生长的三维半导体材料的形貌特征。
本发明授权一种介孔中半导体材料的形貌表征方法在权利要求书中公布了：1.一种介孔中半导体材料的形貌表征方法，其特征在于，包括如下步骤：1取待测材料，在所述待测材料表面贴覆胶层，撕下所述胶层，得到粘附有介孔材料的第一纹理胶层；2在步骤1得到的所述待测材料表面贴覆胶层，撕下所述胶层，得到粘附有介孔材料的第二纹理胶层；3重复贴覆胶层、撕下胶层的步骤，直至得到的纹理胶层上无介孔材料的痕迹，得到第n纹理胶层；4根据步骤1至步骤3中得到的纹理胶层，按照从第一纹理胶层至第n纹理胶层的顺序，得到n个剥离图片，对所述剥离图片进行处理，获得介孔中半导体材料的生长形貌；其中，所述待测材料的介孔材料为多孔碳、多孔氧化锆或多孔氧化钛；所述待测材料的半导体材料为钙钛矿材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北万度光能有限责任公司，其通讯地址为：430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区韩杨路1号光电创新园1号楼4层B409-20座(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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