恭喜哈尔滨工业大学李兴冀获国家专利权
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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115130305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762588.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法是由李兴冀;刘中利;李伟奇;杨剑群设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法，涉及半导体材料计算模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：根据实际热氧化工艺的工艺参数，利用缺陷性质仿真模拟软件构建单晶硅氧化层的界面结构；识别并删除所述界面结构空洞中的分子以及真空层中的分子；步骤S2：在需要统计的界面结构的深度范围中截取出独立结构，识别并统计所述独立结构中的结构参数，所述结构参数包括缺陷密度和缺陷类型。本发明通过结构参数掌握该独立结构中的结构特征，有利于准确掌握无序体系的缺陷密度和缺陷类型等重要结构特征，对于建立缺陷等微观结构与宏观制备工艺或半导体器件之间的连接关系具有重要意义。
本发明授权基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于模拟实际工艺生成单晶硅氧化层的缺陷结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：根据实际热氧化工艺的工艺参数构建单晶硅氧化层的界面结构；识别并删除所述界面结构空洞中的分子以及真空层中的分子；步骤S2：在需要统计的界面结构的深度范围中截取出独立结构，识别并统计所述独立结构中的结构参数，所述结构参数包括缺陷密度和缺陷类型；其中，步骤S2中，所述识别并统计所述独立结构中的结构参数还包括：步骤S21：统计所述独立结构中所有原子的成键列表，包含所述原子类型、原子间距离和所述配位数；步骤S22：根据所述成键列表判断每个原子是否属于特定所述缺陷类型的组成原子，以确定所述独立结构中的所述缺陷类型和缺陷数目。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学，其通讯地址为：150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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